据报道称，IBM、Macronix和Qimonda公司将在国际电子器件会议(IEDM)上宣布，其共同开发出一种转换速度号称比传统闪存技术快500多倍的相变内存原型。届时在IEDM大会上将会有一篇名为《利用GeSb材料的超薄相变桥内存器件》的论文提供更多详情。 这种新的存储器材料是一种锗－锑（GeSb）合金，其中在改进性能方面添加了微量元素来实现。该设备的横截面大小只有3 x 20纳米，写数据时的功耗只有传统技术的功耗的一半还要少。22纳米甚至更高节点的器件将可以通过这一技术而实现。构成该技术之核心的是一小块能在一个有序的晶体相位中快速变换的半导体合金。
（第三媒体 2006-12-25）